真空鍍膜機鍍膜一般真空鍍膜是指用物理的方法堆積薄膜。真空鍍膜機鍍膜方法有三種方式，即蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。

蒸發(fā)鍍膜：通過加熱蒸發(fā)某種物質使其堆積在固體表面，稱為蒸發(fā)鍍膜。現代已成為常用鍍膜技術之一。

蒸發(fā)源有三種類型：

 ①電阻加熱源：用難熔金屬如鎢、鉭制成舟箔或絲狀,通以電流,加熱在它上方的或置于坩堝中的蒸發(fā)物質。電阻加熱源首要用于蒸發(fā)Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料；

②高頻感應加熱源：用高頻感應電流加熱坩堝和蒸發(fā)物質；

③電子束加熱源：適用于蒸發(fā)溫度較高（不低于2000[618-1]）的材料，即用電子束轟擊材料使其蒸發(fā)。

 蒸發(fā)鍍膜與其他真空鍍膜方法比較，具有較高的堆積速率，可鍍制單質和不易熱分化的化合物膜。

濺射鍍膜：用高能粒子轟擊固體表面時能使固體表面的粒子取得能量并逸出表面，堆積在基片上。一般將欲堆積的材料制成板材──靶,固定在陰極上?；糜谡龑Π忻娴年枠O上,距靶幾厘米。系統(tǒng)抽至高真空后充入10～1帕的氣體（一般為氬氣），在陰極和陽極間加幾千伏電壓，南北極間即發(fā)生輝光放電。放電發(fā)生的正離子在電場效果下飛向陰極，與靶表面原子磕碰，受磕碰從靶面逸出的靶原子稱為濺射原子,其能量在1至幾十電子伏規(guī)模。濺射原子在基片表面堆積成膜。與蒸發(fā)鍍膜不同，濺射鍍膜不受膜材熔點的束縛,可濺射W、Ta、C、Mo、WC、TiC等難熔物質。濺射化合物膜可用反應濺射法，將反應氣體(O

、N、HS、CH等)參加Ar氣中,反應氣體及其離子與靶原子或濺射原子發(fā)生反應生成化合物（如氧化物、氮化物等）而堆積在基片上。堆積絕緣膜可選用高頻濺射法?；b在接地的電極上，絕緣靶裝在對面的電極上。高頻電源一端接地，一端通過匹配網絡和隔直流電容接到裝有絕緣靶的電極上。接通高頻電源后，高頻電壓不斷改動極性。等離子體中的電子和正離子在電壓的正半周和負半周分別打到絕緣靶上。由于電子遷移率高于正離子，絕緣靶表面帶負電，在到達動態(tài)平衡時，靶處于負的偏置電位，從而使正離子對靶的濺射繼續(xù)進行。選用磁控濺射可使堆積速率比非磁控濺射進步近一個數量級。

離子鍍：蒸發(fā)物質的分子被電子磕碰電離后以離子堆積在固體表面，稱為離子鍍。離子鍍是真空蒸發(fā)與陰極濺射技術的結合。將基片臺作為陰極，外殼作陽極，充入惰性氣體（如氬）以發(fā)生輝光放電。從蒸發(fā)源蒸發(fā)的分子通過等離子區(qū)時發(fā)生電離。正離子被基片臺負電壓加速打到基片表面。未電離的中性原子（約占蒸發(fā)料的95%）也堆積在基片或真空室壁表面。電場對離化的蒸氣分子的加速效果（離子能量約幾百～幾千電子伏）和氬離子對基片的濺射清洗效果，使膜層附著強度大大進步。離子鍍工藝概括了蒸發(fā)（高堆積速率）與濺射（良好的膜層附著力）工藝的特點，并有很好的繞射性，可為形狀雜亂的工件鍍膜。